MOS FET繼電器
MOS FET和紅外發(fā)光二極管進(jìn)行光結(jié)合的
高度為2.1mm的薄小平型
小外形封裝MOS FET繼電器 連續(xù)負(fù)載電流350mA。 輸入輸出間耐壓1500Vrms。
種類
接點結(jié)構(gòu)
端子種類
負(fù)載電壓
型號
1a
表面安裝端子
AC350V峰值
G3VM-351G
G3VM-351G(TR)
額定值¦性能
·絕對最大額定(Ta=25℃)
項目
符號 額定 單位 條件
輸入側(cè)
LED正向電流 IF 50 mA 反復(fù)峰值LED正向電流 IFP 1 A 100µs脈沖、100pps 直流正向電流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta 25℃ LED反向電流 VR 5 V 粘合部位溫度 TJ 125 ℃
輸出側(cè)
輸出耐壓 VOFF 350 V 連續(xù)負(fù)載電流 IO 110 mA 導(dǎo)通電流降低比率 △ION/℃ -1.1 mA/℃ Ta 25℃ 粘合部位溫度 TJ 125 ℃
輸入輸出間耐壓(注1)
VI-O 1500 Vrms AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度
Ta -40~+85 ℃ 不結(jié)冰、凝露
貯藏溫度
Tstg -55~+125 ℃ 不結(jié)冰、凝露
焊接溫度條件
— 260 ℃ 10s (注1):測量輸入輸出間的耐壓時,分別對LED針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。 ·電氣性能(Ta=25℃)
從此
符號 最小 標(biāo)準(zhǔn) 最大 單位 條件
輸入側(cè)
LED正向電壓 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA 反向電流 IR — — 10 µA VR=5V 端子間電容 CT — 30 — pF V=0、f=1MHz 觸發(fā)LED正向電流 IFT — 1 3 mA IO=100mA
輸出側(cè)
最大輸出導(dǎo)通電阻 RON — 25 35 Ω IF=5mA、IO=110mA、t<1s — 35 50 Ω IF=5mA、IO=110mA 開路時漏電流 ILEAK — — 1.0 µA VOFF=350V
輸入輸出間電容
CI-O — 0.8 — pF f=1MHz、VS=0V
輸入輸出間電容絕緣電阻
RI-O 1000 — — MΩ VI-O=500VDC、ROH60%
動作時間
tON — 0.3 1.0 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
回復(fù)時間
tOFF — 0.1 1.0 ms (注2): 動作· 回復(fù)時間
外形尺寸
(單位:mm)
G3VM-351G
質(zhì)量:0.1 g
※標(biāo)記內(nèi)容與實際商品有所不同。
安裝襯墊尺寸(推薦值)(BOTTOM VIEW)
端子布置/內(nèi)部接線圖(TOP VIEW)
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