MOS FET繼電器
最適合應(yīng)用于微小信號和模擬信號開關(guān)的MOS FET繼電器1A開關(guān) 更新G3VM-S1系列。 連續(xù)負(fù)載電流1A。 輸入輸出間耐壓1500Vrms。
種類
接點結(jié)構(gòu)
端子種類
負(fù)載電壓
型號
1a
表面安裝端子
AC60V峰值
G3VM-61GR1
G3VM-61GR1(TR)
額定值¦性能
·絕對最大額定(Ta=25℃)
項目 符號 額定 單位 條件 入輸側(cè) LED正向電流 IF 50 mA
反復(fù)峰值LED正向電流
IFP 1 A 100πs脈沖、100pps
直流正向電流降低比率
△IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta 25℃
LED反向電流
VR 5 V
粘合部位溫度
TJ 125 ℃
出輸側(cè)
輸出耐壓 VOFF 60 V
連續(xù)負(fù)載電流
IO 1000 mA
導(dǎo)通電流降低比率
△ION/℃ -13.3 mA/℃ Ta 50℃
粘合部位溫度
TJ 125 ℃
輸入輸出間耐壓(注1)
VI-O 1500 Vrms AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度
Ta -20~+85 ℃ 不結(jié)冰、凝露
貯藏溫度
Tstg -40~+125 ℃ 不結(jié)冰、凝露
焊接溫度條件
— 260 ℃ 10s (注1):測量輸入輸出間的耐壓時,分別對LED針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。 ·電氣性能(Ta=25℃)
項目 符號 最小 標(biāo)準(zhǔn) 最大 單位 條件 入輸側(cè) LED正向電壓 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA 反向電流 IR — — 10 πA VR=5V 端子間電容 CT — 15 — pF V=0、f=1MHz 觸發(fā)LED正向電流 IFT — 1.0 3 mA IO=400mA 出輸側(cè) 最大輸出導(dǎo)通電阻 RON — — 0.7 Ζ IF=5mA、IO=400mA 開路時漏電流 ILEAK 0.25 0.2 100 nA VOFF=60V 輸入輸出間電容 CI-O — 0.8 — pF f=1MHz、VS=0V 輸入輸出間電容絕緣電阻 RI-O 1000 — — MΖ VI-O=500VDC、ROH60% 動作時間 tON — 1.4 3.0 ms IF=5mA、RL=200Ζ、VDD=20V(注2) 回復(fù)時間 tOFF — 0.6 1.0 ms (注2): 動作· 回復(fù)時間
外形尺寸
(單位:mm)
G3VM-61GR1
質(zhì)量:0.1 g
※標(biāo)記內(nèi)容與實際商品有所不同。
安裝襯墊尺寸(推薦值)(BOTTOM VIEW)
端子布置/內(nèi)部接線圖(TOP VIEW)
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